絕緣柵雙*晶體管(IGBT)

1、IGBT的定義

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,通過(guò)結(jié)合MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低導(dǎo)通壓降特性實(shí)現(xiàn)高效電能控制。在固態(tài)繼電器中,它作為核心開關(guān)元件,具有三端結(jié)構(gòu)(集電*、發(fā)射*、柵*),其中柵*通過(guò)二氧化硅絕緣層實(shí)現(xiàn)電氣隔離。

2、IGBT的工作原理

?2.1復(fù)合結(jié)構(gòu)特性

? 輸入側(cè)采用MOSFET柵*控制結(jié)構(gòu);

? 輸出側(cè)繼承BJT的雙*導(dǎo)電特性;

? 形成PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu);

?2.2導(dǎo)通機(jī)制?

? 柵*施加正向電壓時(shí)形成導(dǎo)電溝道;

? 電子注入N-漂移區(qū)引發(fā)空穴注入效應(yīng);

? 產(chǎn)生雙*載流子傳導(dǎo)降低導(dǎo)通電阻;

?2.3關(guān)斷特性?

? 柵*電壓撤除后存在少子存儲(chǔ)效應(yīng);

? 關(guān)斷時(shí)間受載流子復(fù)合速率影響;

3、IGBTSSR中的作用

?3.1高性能開關(guān)功能

? 支持kHz級(jí)高頻開關(guān)操作;

? 導(dǎo)通壓降低至1.5-3V(MOSFET50%以上);

? 耐壓能力達(dá)1200-6500V;

?3.2驅(qū)動(dòng)隔離設(shè)計(jì)?

? 柵*驅(qū)動(dòng)功率<1W(僅為BJT1/10);

? 可與光耦/變壓器隔離驅(qū)動(dòng)配合使用;

?3.3特殊應(yīng)用優(yōu)勢(shì)?

? 內(nèi)置續(xù)流二*管處理感性負(fù)載;

? 支持PWM精確控制;

? 工作結(jié)溫可達(dá)150℃;

?3.4系統(tǒng)保護(hù)特性?

? 集成溫度傳感功能;

? 短路耐受時(shí)間達(dá)10μs級(jí);

       IGBTSSR特別適用于變頻器、UPS等需要高頻開關(guān)的場(chǎng)合?,F(xiàn)代智能SSR采用IGBT模塊化設(shè)計(jì),將多個(gè)芯片并聯(lián)實(shí)現(xiàn)數(shù)百安培電流承載能力。其復(fù)合結(jié)構(gòu)特性使SSR兼具快速響應(yīng)和低導(dǎo)通損耗的優(yōu)勢(shì)。

RC吸收電路

固態(tài)繼電器(SSR)中的RC吸收電路是一種重要的保護(hù)電路,主要用于抑制開關(guān)過(guò)程中的電壓浪涌和電磁干擾。它由電阻(R)和電容(C)串聯(lián)組成,并聯(lián)在SSR的輸出端或開關(guān)器件兩端。它屬于無(wú)源緩沖電路,通過(guò)吸收瞬態(tài)能量來(lái)保護(hù)半導(dǎo)體器件免受電壓尖峰損害。39e0ab1d0fcb4bb2b64fdabb09dc856d~tplv-tb4s082cfz-aigc_resize_mark_2400_2400.png

1.工作原理

? ?開關(guān)斷開時(shí)?:寄生電感中儲(chǔ)存的能量會(huì)向寄生電容充電,同時(shí)通過(guò)吸收電阻對(duì)吸收電容充電。吸收電阻增大了等效阻抗,相當(dāng)于增加了開關(guān)的并聯(lián)電容容量,從而抑制電壓浪涌。

? ?開關(guān)閉合時(shí)?:吸收電容通過(guò)開關(guān)放電,放電電流被吸收電阻限制,避免產(chǎn)生過(guò)大電流沖擊。

? ?過(guò)零控制配合?:在交流型SSR中,RC電路與過(guò)零控制電路協(xié)同工作,在電壓過(guò)零點(diǎn)完成通斷操作,進(jìn)一步減少諧波干擾。

2.核心作用

? ?抑制電壓上升率(dv/dt)?:利用電容兩端電壓不能突變的特性,限制開關(guān)器件兩端的電壓變化速率,防止誤觸發(fā)或擊穿。

? ?阻尼振蕩?:串聯(lián)電阻可消耗RLC電路中的振蕩能量,防止因諧振產(chǎn)生過(guò)電壓損壞晶閘管等器件。

? ?吸收浪涌能量?:當(dāng)電路存在感性負(fù)載(如變壓器漏感)時(shí),吸收突波電壓和電流尖峰。

? ?降低射頻干擾?:減少開關(guān)過(guò)程中產(chǎn)生的高頻噪聲對(duì)電網(wǎng)和其他設(shè)備的電磁干擾。

3.典型應(yīng)用場(chǎng)景

? 保護(hù)雙向可控硅等開關(guān)器件免受電源尖峰沖擊。

? 交流型SSR中與過(guò)零控制電路配合使用。

? 高感性負(fù)載(如電機(jī)、繼電器線圈)的開關(guān)保護(hù)。

       RC吸收電路是確保SSR可靠運(yùn)行的關(guān)鍵設(shè)計(jì),需根據(jù)具體負(fù)載特性調(diào)整參數(shù)。9ae38a7cdb1341c6aece84854a6a7505~tplv-tb4s082cfz-aigc_resize_mark_2400_2400.png

壓敏電阻

壓敏電阻(Varistor)是一種非線性電阻器件,其電阻值會(huì)隨外加電壓的變化而顯著改變。在SSR中通常采用氧化鋅(ZnO)壓敏電阻,并聯(lián)在輸出端或開關(guān)器件兩端,作為過(guò)電壓保護(hù)的核心元件。

1. 工作原理

? ?電壓鉗位特性?:當(dāng)兩端電壓低于閾值時(shí)呈高阻態(tài)(兆歐級(jí)),當(dāng)電壓超過(guò)額定值(如AC380VSSR常用470V壓敏電阻)時(shí)迅速轉(zhuǎn)為低阻態(tài)(歐姆級(jí)),形成泄放通道。

? ?能量吸收機(jī)制?:利用半導(dǎo)體材料的非線性伏安特性,將浪涌能量轉(zhuǎn)化為熱能消耗,響應(yīng)時(shí)間可達(dá)納秒級(jí)。

? ?自恢復(fù)特性?:過(guò)電壓消失后自動(dòng)恢復(fù)高阻狀態(tài),無(wú)需人工干預(yù)。

2. SSR中的核心作用

3.典型應(yīng)用場(chǎng)景

? ?交流型SSR?:與RC吸收電路配合使用,形成雙重保護(hù)(壓敏電阻主攻高壓浪涌,RC電路抑制高頻振蕩)

? ?感性負(fù)載控制?:特別適用于電機(jī)、變壓器等易產(chǎn)生反電動(dòng)勢(shì)的負(fù)載

? ?惡劣電網(wǎng)環(huán)境?:電網(wǎng)波動(dòng)大或雷擊多發(fā)地區(qū)的設(shè)備保護(hù)

壓敏電阻與RC吸收電路在SSR中常構(gòu)成互補(bǔ)保護(hù)體系:前者應(yīng)對(duì)高壓大能量浪涌,后者處理高頻低能量振蕩。實(shí)際應(yīng)用中需根據(jù)負(fù)載特性(如電機(jī)啟停電流倍數(shù))進(jìn)行參數(shù)匹配。